摘要：:3D NAND,128内存,3D内存【CNMO新闻】4月13日，长江存储科技有限责任公司公布其128层QLC 3D NAND 闪存（X2-6070）研发乐成，并在多家节制器厂商SSD等终端存储产物上通过验证。长江存储X2-6070拥有业内已知型号产物
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【CNMO新闻】4月13日，长江存储科技有限责任公司公布其128层QLC 3D NAND 闪存（X2-6070）研发乐成，并在多家节制器厂商SSD等终端存储产物上通过验证。长江存储X2-6070拥有业内已知型号产物中最高单元面积贮储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量，同时长江存储还宣布了128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（X2-9060）。
据悉，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维仓库，共有高出3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单位 ，每个存储单位可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。在I/O读写机能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率。 长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）暗示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的超过。这既是数千长存人汗水的凝结，也是全球财富链上下游通力协作的成就。跟着Xtacking 3D NAND,128内存,3D内存http://www.chinarand.com/news/xingyezixun/14621.html (责任编辑：admin) 
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